10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.007
一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器
采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成.基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数.
分子束外延、差分外延、锗硅异质结双极晶体管、低噪声放大器
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TN431.1;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
569-571,594
