10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.006
一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA).该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35 μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度.电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm.
异质结双极晶体管、低噪声放大器、射频集成电路、微波单片集成电路
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TN722.3;TN431(基本电子电路)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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