10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.005
SiGe HBT噪声的研究进展
噪声对RF电路设计非常关键,故需要对SiGe HBT噪声特性进行深入研究.根据器件的高频噪声模型,指出了影响SiGe HBT高频噪声参数的主要因素,论述了优化设计的具体方法;举例说明尺寸缩小使得高频噪声性能已经达到了GaAs pHEMT的水平,fT达到了375 GHz.分析了SiGe HBT低频噪声的机理和模型及其与几何尺寸的关系,指出用fc/fT表达低频噪声性能更合适;举例说明小尺寸效应使得SiGe HBT的低频噪声偏离了1/f噪声形式.
SiGe HBT、1/f噪声、相位噪声、转角频率、噪声系数
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TN322+.8(半导体技术)
2006-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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