10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.002
SiGe BiCMOS技术发展现状
以通讯领域的需求和技术发展为背景,介绍了SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术的发展历程.总结了SiGe HBT器件在器件结构和工艺步骤上的共同点.以IBM公司0.5μm SiGe BiCMOS为例,介绍了SiGe BiCMOS典型工艺步骤,分析了BDG和BAG两种工艺集成方式在不同技术节点上应用的利弊.最后,以捷智半导体和IBM产品线为例,对SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术划分技术节点.
SiGe HBT、BiCMOS、无线通讯
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
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