10.3969/j.issn.1004-3365.2006.04.024
LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施
描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类.对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提升.
半导体工艺、低压化学汽相淀积、多晶硅、薄膜缺陷
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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