10.3969/j.issn.1004-3365.2006.04.007
一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型
提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度.此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻.
功率MOSFET、宏模型、二阶效应、JFET电阻、行为级模型
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TN302(半导体技术)
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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