10.3969/j.issn.1004-3365.2006.04.005
三栅MOSFET阈值电压模型
根据三栅(TG)MOSFET二维数值模拟的结果,分析了TG MOSFET中的电势分布,得出了在硅体与掩埋层接触面的中心线上的电势随栅压变化的关系;通过数学推导,给出了基于物理模型的阈值电压的解析表达式;并由此讨论了多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度、硅体的宽度和高度以及栅氧化层厚度对阈值电压的影响;得出在TG MOSFET器件的阈值电压设计时,应主要考虑多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度和硅体的宽度等参数的结论.
三栅MOSFET、阈值电压、数值模拟
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划90307017;中国科学院资助项目60444004
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
400-402,406
