10.3969/j.issn.1004-3365.2006.04.002
基于SOI结构的SiGe HBT频率特性研究
基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析.仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI 结构SiGe HBT集电极-基极电容Ccb和衬底-基极电容Csb最大降幅分别达94.7%和94.6%,且最高振荡频率f max增加2.7倍.研究结果表明,SOI结构大幅度改善了SiGe HBT的频率性能,适用于高速、高功率集成电路技术.
SOI、SiGe、异质结晶体管、频率特性、最高振荡频率
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TN302(半导体技术)
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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