10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.033
一种新型的BiCMOS带隙基准电压源
在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路.该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,静态电流约为10 μA,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比.
BiCMOS、带隙基准、低功耗、电源抑制比
36
TN431.1(微电子学、集成电路(IC))
2006-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
381-384