10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.030
一种低相位噪声2N分频器的设计
介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计.该电路采用0.35 μm BiCMOS SiGe工艺制作.1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55～125 ℃温度范围内,电路的工作频带为20 MHz～2.4 GHz,功耗电流约40 mA.数据输入端S0、S1、S2控制电路的分频比在21～28间变化,数据输入端与TTL/CMOS电平兼容.
低相位噪声、分频器、BiCMOS、SiGe
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2006-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
370-372,376
