10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.028
一种BiCMOS 11-GHz低功耗静态分频器
介绍了一种超高速、低功耗÷8静态分频器.该电路采用0.35 μm BiCMOS工艺制作,晶体管fT 达21 GHz(Vce ＝1 V).该分频器在-5 V电源电压下功耗为52.5 mW,最高工作频率达到11 GHz;在-55 ℃和85 ℃温度时,最高频率仍能达到10.2 GHz;输入功率-25 dBm时,可工作在2～10 GHz的频率范围.
静态分频器、触发器、放大器、BiCMOS
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
2006-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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