10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.017
模拟集成电路仿真中的UDSM MOSFET建模
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,重点分析了在模拟集成电路设计中较为流行的几种模型:BSIM3、EKV和SP2001模型,对其各自的优缺点进行了比较.结果表明,获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的;几种模型中,EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势.
模拟集成电路、MOSFET建模、BSIM3模型、SP2001模型、EKV模型
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TN386.1(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA141041
2006-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
320-325