10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.003
800 V SOI介质隔离技术研究
高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一.文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究.通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程.实验结果表明,在膜厚为20 μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构.
SOI、介质隔离、化学机械抛光、击穿电压
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TN405.95(微电子学、集成电路(IC))
2006-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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