10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.024
一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现
使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(＞80 dB)的CMOS运算放大器.模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能.该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成.
LDMOS、RESURF、高压、运算放大器
36
TN722.7+7(基本电子电路)
2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
87-89
