10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.021
超结理论的产生与发展
对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍.以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍.
超结器件、功率半导体器件、COOLMOSTM、导通电阻、击穿电压
36
TN36(半导体技术)
2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
75-79,83
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10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.021
超结器件、功率半导体器件、COOLMOSTM、导通电阻、击穿电压
36
TN36(半导体技术)
2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
75-79,83
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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