10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.010
Ti-Si0.84Ge0.16和Ti-Si系统的温度特性研究
实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700 ℃及730～900 ℃两步退火后的方块电阻.对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性.造成这一差异的原因与Ge原子在高温下的行为有关.实验利用XRD,研究了Ti(SiGe)2从C49相到C54相的转变.物相分析结果显示,其相转变温度在760～800 ℃之间.结合实验结论,对采用Ti硅化物工艺的自对准SiGe HBT进行了退火温度的优化,其适合的高温退火温度为850 ℃左右.
Ti基硅化物、SiGe、HBT、RTA、温度特性
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TN304.2(半导体技术)
新材料领域项目2002AA1Z1610
2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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