10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.009
0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件的研究
在提出0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200 μm,栅长为0.7 μm,漏的注入区与栅的距离为1.5 μm的0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件.对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm、10 dB和35%.
射频、SOI、LDMOS、功率器件
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TN31(半导体技术)
教育部留学回国人员科研启动基金
2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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