10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.012
多芯片组件的三维温场有限元模拟与分析
针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析.模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况符合较好.模拟结果表明,对于金属DIP封装的MCM,内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递.
多芯片组件、热模拟、热分析、有限元
35
TN452(微电子学、集成电路（IC）)
信息产业部科研项目41501130507
2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
371-374
