10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.010
SOI电路窄沟槽隔离技术研究
文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300 V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础.
SOI、窄沟槽刻蚀、多晶硅回填、平整化
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TN405.95(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA404020
2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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