10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.008
SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究
用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性,反压150 V下,增益可达到3.8×104.在高反压下(100 V以上),探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380 nm之间,有非常平稳的光谱响应;在高温533 K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.
宽带隙、碳化硅、肖特基接触、光谱响应、紫外探测器
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TN362(半导体技术)
国家自然科学基金NSFC-50132040;中国科学院知识创新工程项目KJCX2-SW-04
2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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