10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.007
SOI LDMOS栅漏电容特性的研究
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOI LDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法.
SOI、LDMOS、栅漏电容、栅氧化层、漂移区、P阱
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA1Z1400
2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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