10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.003
薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价
随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命.通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适.
薄栅氧化物、经时绝缘击穿、斜坡电压法、可靠性、寿命
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金51433030203JW091
2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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