10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.002
金属系统对SiGe HBT自热效应的影响
在SiGe HBT设计中,采用Al-TiN-Ti多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax).但是,本文的研究表明,如果忽略了发射极电阻的减小和TiN、Ti有较小的热导率,而不在设计中做出适当调整,在相同的大电流工作条件下,多层金属HBT的输出特性在自热效应和能带调节共同作用下,将会表现出明显的负阻效应.分析其原因:1) 由于发射极接触电阻减小,即等效的HBT发射极镇流电阻减小,使得器件调节自热效应的能力减弱;2) 由于多层金属中TiN和Ti热导率较低,在相同条件下,器件通过金属连线均衡温度分布的能力变差, 与Al系统相比,其BE结温度更高.在大电流工作条件下,较差的自热效应调节能力和较高的结温使得多层金属HBT的值减小较快,器件的频率和功率特性变差.
SiGe、HBT、多层金属结构、自热效应、输出特性
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TN304.2+4;TN322+.8(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA1Z1610
2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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