10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.028
单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用
采用GaAs PHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器.着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果.最后,介绍了单片低噪声放大器在数字T/R组件中的应用.
低噪声放大器、砷化镓、异质结高电子迁移率晶体管、T/R组件
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TN722.3(基本电子电路)
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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