10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.022
减小VDMOS密勒电容和反向恢复电荷的研究
提出了在VDMOS FET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法.数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOS FET,密勒电容Cgd可减少73.25%,Qgd和导通电阻优值减小65.02%,显示出很好的Qgd*Rds(on)改善性能;同时,反向恢复电荷减少了40.76%.
VDMOS FET、栅电荷、密勒电容、导通电阻、反向恢复电荷
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2005-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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