10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.013
薄膜双栅MOSFET体反型现象的研究
通过对QM模型的介绍,说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果,并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析,阐述了其重要的物理意义和应用价值.利用反型层质心概念,提出了一组形式非常简单,且与体硅单沟道MOSFET表达式十分相似的薄膜双栅MOSFET亚阈值区反型层载流子浓度和亚阈值电流的表达式,与MEDICI模拟结果的比较证明了其精确性.应用反型层质心及所提出的亚阈值区模型,对薄膜双栅MOSFET体反型现象进行了深入的分析,提出了一个能够较好体现体反型作用的硅膜厚度范围.
薄膜双栅、MOSFET、QM模型、体反型、反型层质心
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TN301(半导体技术)
国家重点实验室基金51439090101JW0601
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
270-274
