10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.009
阶梯掺杂漂移区SOI高压器件浓度分布优化模型
基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构的临界电场和击穿电压进行了研究.结果表明,对于所研究的结构,一阶或二阶掺杂可以在不提高工艺难度的情况下获得足够高的击穿电压,因而可以作为线性漂移区的理想近似.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果非常吻合,证明了模型的正确性.
SOI、高压器件、RESURF、阶梯掺杂、击穿电压、模型
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金51439020103DZ0201
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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