10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.006
基于AlGaN/GaN HEMT的功率放大器的研究进展
介绍了几类常见的基于AlGaN/GaN HEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术--倒装芯片集成(FC-IC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN/GaN HEMT的性能.
微波功率放大器、微波集成电路、高电子迁移率器件、AlGaN/GaN、倒装芯片集成、共平面线
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TN325.+3(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311904;国防预研基金
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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