10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.002
ULSI化学机械抛光的研究与展望
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响.作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP),近年来发展迅速,应用广泛.文章综述了化学机械抛光技术的发展现状:包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展;在此基础上,对CMP下一步发展的方向及其应用前景进行了展望.
化学机械抛光、平坦化、薄膜、特大规模集成电路、抛光液
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TN305.2(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA302720,2004AA302G20;上海市纳米科技与产业发展促进中心纳米专项基金0352nm 016,0452nm 012
2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
226-230
