10.3969/j.issn.1004-3365.2005.02.016
高介电常数栅介质材料研究动态
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的需求.为此,应用于下一代MOSFET的高介电常数栅介质材料已成为当今微电子材料的研究热点.文章介绍了高k材料抑制隧穿效应影响的原理及其应当满足的各项性能指标,并对其研究动态和存在的问题进行了阐述,指出了最有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种高k材料.
MOSFET、微电子材料、高介电常数、栅极电介质、伪二元合金
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TN432;TN304.2+1(微电子学、集成电路（IC）)
上海集成电路研发中心校际资源整合研发基金
2005-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
163-168
