10.3969/j.issn.1004-3365.2005.02.009
一个实用的部分耗尽SOI器件体接触仿真模型
文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器,给出了仿真结果.
部分耗尽、绝缘体上硅、体接触、浮体效应
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2005-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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138-141
