10.3969/j.issn.1004-3365.2005.02.007
高速双极晶体管工艺条件的优化研究
报道了一种使用深槽隔离和注入基区及快速热退火(RTA),同时为发射极扩散和Ti硅化物退火的双层多晶硅双极技术.对内基区注入、选择性注入集电极(SIC)以及RTA等主要工艺条件对器件特性的影响进行了研究和优化.根据优化结果,制作出了性能优良的高速双极晶体管.
双极晶体管、深槽隔离、选择性注入集电极、快速热退火
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TN322+.8(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA1Z1560
2005-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
130-132,137
