10.3969/j.issn.1004-3365.2005.02.004
低温制备应变硅沟道MOSFET栅介质研究
分别对300 °C下采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和700 °C下采用热氧化技术制备应变硅沟道MOS器件栅介质薄膜进行了研究.采用PECVD制备SiO2栅介质技术研制的应变硅沟道PMOSFET(W/L＝20 μm/2 μm)跨导可达45 mS/mm(300 K), 阈值电压为1.2 V;在700 °C下采用干湿氧结合,制得电学性能良好的栅介质薄膜,并应用于应变硅沟道PMOSFET(W/L＝52 μm/4.5 μm)器件研制,其跨导达到20mS/mm(300 K),阈值电压为0.4 V.
等离子体增强化学气相淀积、低温热氧化、栅介质、应变硅沟道、MOS器件
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TN304.055(半导体技术)
国家重点实验室基金51439010303DZ0202
2005-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
118-120,124
