10.3969/j.issn.1004-3365.2004.05.027
一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺
介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺.该工艺采用BOSCH刻蚀、兆清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单.其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要行调整,并可根据氧化层厚度进行预测.其介质隔离漏电流极低.
深槽、介质隔离、SOI、BOSCH工艺、平坦化工艺、兆声清洗
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TN405.95(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA404-02
2004-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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586-588
