10.3969/j.issn.1004-3365.2004.05.022
一种新的SOI射频集成电路结构与工艺
立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案.该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成.经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬底电感的初步实验,获得了良好的有源和无源器件特性,证明这一简洁的集成工艺方案是可行的.
绝缘体上硅、CMOS、射频集成电路
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TN405;TN403(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA1Z1580
2004-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
569-571
