10.3969/j.issn.1004-3365.2004.05.012
MOS器件在不同源辐照下总剂量效应的异同性研究
介绍了加固型CMOS电路在60Co-γ射线源、10 MeV以下的质子、1～2 MeV的电子等辐射源辐照下的总剂量效应实验.结果表明,在相同吸收剂量和+5 V栅压的偏置条件下,1 MeV的电子与60Co-γ射线源对器件的损伤相当.质子与60Co-γ射线源对器件的辐射损伤,在不同的栅压偏置下有不同的结果.+5 V栅压下,能量在10 MeV以下的质子对器件的损伤小于60Co-γ射线源,且质子对器件的辐射损伤随着质子能量的增加而增加;在零栅压的偏置条件下,质子对器件的损伤与60Co-γ射线源对器件的损伤相当.通过对实验结果的分析认为,用实验室常用的60Co-γ射线源可以模拟MOS器件在质子、电子辐射环境下的最劣总剂量效应.
辐射效应、Faraday筒、阈值电压、MOS器件、CMOS电路
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O571.33(原子核物理学、高能物理学)
2004-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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532-535
