10.3969/j.issn.1004-3365.2004.05.008
用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究
针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽.为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法.
湿法腐蚀、深槽刻蚀、掩蔽、MEMS、微机械结构
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TN405.98+2(微电子学、集成电路（IC）)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA404-02
2004-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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519-521
