10.3969/j.issn.1004-3365.2004.05.007
CMOS集成混频器噪声模型的计算机仿真与分析
根据Hspice仿真结果,分析了CMOS集成混频器中场效应管的闪烁噪声和寄生电容产生输出噪声的详细过程.通过改变电路仿真参数,得出相应的仿真数据,结合理论模型对实验数据进行了分析.结果表明,由闪烁噪声引起的直接开关噪声增益随本振幅度递减,由寄生电容引起的间接开关噪声增益随寄生电容值和本振频率递增.
CMOS、混频器、Spice仿真、闪烁噪声、寄生电容、噪声增益
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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