10.3969/j.issn.1004-3365.2004.05.006
掺杂浓度对槽栅nMOSFET特性的影响研究
讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ进行了计算模拟比较.结果表明,提高衬底掺杂浓度,能使源漏区与沟道之间的拐角效应增大,对热载流子效应抑制的作用明显;提高沟道掺杂浓度,能减小沟道电荷的调制效应,使阈值电压更好.调节沟道掺杂浓度比调节衬底掺杂浓度对器件的影响更大.
槽栅MOSFET、掺杂、短沟道效应、热载流子退化
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TN303.12(半导体技术)
2004-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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