10.3969/j.issn.1004-3365.2004.04.028
一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构与工艺
提出了一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构和工艺.应用此项技术能够方便地形成双栅、三栅以及围栅等各种多面栅结构;同时,应用体迁移进行载流子传输的纵向结构能够显著地改善MOS器件的性能,立体结构更为三维集成提供了发展的基础.工艺模拟证明了该结构的可行性,文中还对实际生产中应注意的一些非理想情况进行了预测和分析.
双极工艺、多面栅、MOSFET、三维集成
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TN431(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金51439090101JW0601
2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
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