期刊专题

10.3969/j.issn.1004-3365.2004.04.021

CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展

引用
全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势.与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障.作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障履盖率,保证集成电路的可靠性.

CMOS集成电路、故障检测、电路测试、可测试性设计

34

TN432(微电子学、集成电路(IC))

北京市重点实验室基金KF200209

2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

446-450

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

微电子学

1004-3365

50-1090/TN

34

2004,34(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn

打开万方数据APP,体验更流畅