10.3969/j.issn.1004-3365.2004.04.013
UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550℃下SiO 2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响.实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降.
UHV/CVD、多晶SiGe、成核时间、选择外延、快速热退火
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TN304.055(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA3Z1230
2004-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
418-420,424
