10.3969/j.issn.1004-3365.2004.04.009
高性能模拟集成电路工艺技术
介绍了模拟集成电路工艺的发展过程和现状,讨论了国内的BiCMOS工艺、互补双极工艺(CB)、和SOI双极工艺的最新进展.重点介绍了BiCMOS工艺的研究与开发,指出了模拟集成电路工艺的发展趋势.
BiCMOS工艺、互补双极工艺、SOI、深槽介质隔离
34
TN405(微电子学、集成电路(IC))
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
398-401
10.3969/j.issn.1004-3365.2004.04.009
BiCMOS工艺、互补双极工艺、SOI、深槽介质隔离
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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