10.3969/j.issn.1004-3365.2004.03.013
单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学模型及逻辑应用
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性数学算法改进模型.该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析.研究了背景电荷和各物理参数对Ⅰ-Ⅴ特性及跨导的影响,讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用:简化了"异或"逻辑电路,改进了二叉判别图电路的逻辑单元.
单电子晶体管、背景电荷、双栅、异或、二叉判别图
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TN321(半导体技术)
陕西省自然科学基金2002F34;空军工程大学校科研和教改项目2002X12
2004-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
269-272
