10.3969/j.issn.1004-3365.2004.03.010
6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响
采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响.结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响.同时,对所得结果从内部物理机制上进行了分析.
SiCOI、MESFET、结构参数
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TN304.2+4(半导体技术)
国防预研基金41308060106
2004-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
257-260,264
