10.3969/j.issn.1004-3365.2004.03.008
SiGe薄膜材料电阻率与掺杂浓度的关系研究
目前,应变Si1-xGex薄膜材料杂质浓度尚未有准确且简便易行的测试方法.为了快速准确地确定应变Si1-xGex薄膜材料的掺杂浓度,在研究应变Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上,采用Matlab编程模拟仿真,求解并建立了不同Ge组分下应变Si1-xGex薄膜材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线,讨论了轻、重掺杂两种情况下该关系曲线的变化趋势.通过Si1-xGex薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-Ⅴ掺杂浓度测试的对比实验,对本关系曲线进行了验证.
SiGe、电阻率、掺杂浓度、Matlab仿真
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TN304.07;TN304.2+4(半导体技术)
国家重点实验室基金99JS09.3.1DZ0111,51439010101DZ01
2004-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
250-253
