10.3969/j.issn.1004-3365.2004.02.032
适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制.实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件.
硅片直接键合、SOI、VDMOSFET、疏水性处理、范德华力
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-06-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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