10.3969/j.issn.1004-3365.2004.02.026
700 V单晶扩散型LDMOS的特性与模型
文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究.借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasi drain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果.
LDMOS、准饱和特性、准漏极、宏模型
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金51439080101DZ0202
2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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