10.3969/j.issn.1004-3365.2004.02.018
一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9 V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80 V、电流通过能力大于3 A的LDMOS管.电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50 mm2.基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成.
SOI、CMOS、LDMOS、VDMOS、智能功率集成电路
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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