10.3969/j.issn.1004-3365.2004.02.010
1200 V功率MOS栅驱动集成电路的设计
文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱动集成电路.该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V,最大输出峰值电流为1 A,最高工作频率100kHz,温度范围-55～125°C,可同时驱劝系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件,是SPIC的一种典型电路.
功率驱劝集成电路、高低端功率器件、横向双扩散MOSFET、智能功率集成电路
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TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)
国家重点实验室基金51439080101DZ0202
2004-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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138-141
